Компания Everspin на днях объявила о начале поставок первых образцов самых плотных магнитоустойчивых RAM, которые могут прийти на замену стандартным системам памяти DRAM для записи операций кеширования. Технология MRAM в 10 000 раз быстрее, чем NAND flash.

Everspin назвала свою технологию энергонезависимой памяти ST-MRAM, и новая продукция является третьим поколением чипов MRAM компании, целью которой является заменить широко распространенные на данный момент DRAM в серверных системах и системах хранения.

Приставка ST означает «spin-torque» – это простой метод изменения битов данных с единиц на нули, и наоборот, используя мельчайшее количество энергии для переворачивания их вверх или вниз, вместо вправо или влево, как это делается в обычных MRAM. Помимо этого, новая технология имеет улучшенную плотность памяти и требует на 40-50% меньше мощности. ST-MRAM способна работать с интерфейсами памяти DDR3/DDR4 для DRAM.

С тех пор как в 2012 году Everspin впервые начала поставки своих чипов ST-MRAM, компания продала более 60 миллионов дискретных и встроенных продуктов с технологией MRAM для дата-центров и серверных систем.

На данный момент компания производит чипы с вместительностью 256 Мбит, но Everspin планирует в будущем наладить поставки и версии с 1 Гбит позже в этом году.

«Чипы MRAM от Everspin показали скорости интерфейса, сопоставимые с DRAM. Новые продукты ST-MRAM с 256 Мб и 1 Гб смогут проявить свою производительность на интерфейсах DDR3 и DDR4 соответственно, – заявила компания. – С нашими чипами ST-MRAM можно быть уверенными в сохранности ваших данных».