Представители компании Samsung Electronics заявили о начале глобального производства микрочипов DDR4 (Double-Data-Rate-4) DRAM, сделанных по технологии 10-нанометрового класса.

Технология данного класса позволяет использовать норму 10-19 нанометров, благодаря чему потребление энергии сокращается в среднем на 15-20 процентов. Помимо этого в пластине на 30% увеличивается количество кристаллов.

Сегодня благодаря данной технологии компания изготавливает DDR4 DRAM, объем которых составляет 8 Гбит. Именно на их основе будут создаваться модули оперативной памяти с новым потреблением энергии.

Поговаривают, что в скором времени новую технологию используют для создания ОЗУ от 4 до 128 Гб.

Первая партия новинок появится на мировом рынке уже в конце месяца.