Представители компании Samsung Electronics заявили о начале глобального производства микрочипов DDR4 (Double-Data-Rate-4) DRAM, сделанных по технологии 10-нанометрового класса.
Технология данного класса позволяет использовать норму 10-19 нанометров, благодаря чему потребление энергии сокращается в среднем на 15-20 процентов. Помимо этого в пластине на 30% увеличивается количество кристаллов.
Сегодня благодаря данной технологии компания изготавливает DDR4 DRAM, объем которых составляет 8 Гбит. Именно на их основе будут создаваться модули оперативной памяти с новым потреблением энергии.
Поговаривают, что в скором времени новую технологию используют для создания ОЗУ от 4 до 128 Гб.
Первая партия новинок появится на мировом рынке уже в конце месяца.
- 21:13 ALIOT признан лучшим решением в сфере импортозамещения по итогам конкурса «Импортонезависимость в телекоммуникациях»
- 13:53 SUPCON представит первую в мире систему UCS
- 13:47 Vantage Foundation поддержал деятельность Бюро ЮНЕСКО в Южной Азии в Нью-Дели, Индия
- 13:42 TOPDON представил тепловизионную камеру с регулируемым объективом