Представители компании Samsung Electronics заявили о начале глобального производства микрочипов DDR4 (Double-Data-Rate-4) DRAM, сделанных по технологии 10-нанометрового класса.
Технология данного класса позволяет использовать норму 10-19 нанометров, благодаря чему потребление энергии сокращается в среднем на 15-20 процентов. Помимо этого в пластине на 30% увеличивается количество кристаллов.
Сегодня благодаря данной технологии компания изготавливает DDR4 DRAM, объем которых составляет 8 Гбит. Именно на их основе будут создаваться модули оперативной памяти с новым потреблением энергии.
Поговаривают, что в скором времени новую технологию используют для создания ОЗУ от 4 до 128 Гб.
Первая партия новинок появится на мировом рынке уже в конце месяца.
- 09:50 В «Корпоративном сервере 2024» от «Р7-Офис» появился новый модуль «Проекты»
- 09:33 Экс-генеральный директор Р7-Офис Наталия Агафонова вышла из состава Совета директоров АО “Р7”
- 22:12 Число пользователей биржи Bitget превысило 45 млн
- 21:57 Vantage Markets празднует 15-летие лучшей торговой машины